重生：大学里的亿万富翁 第659章 光刻机里的DPP方案

“目前我们的库存勉强能够对付一年，如果一年后还没有完全寻找到国产替代的话，就要面临停产，又或者冒着良率下降的风险，硬着头皮去做。”

沪上，华芯国际。

梁老忧心忡忡道：“芯片设计不是什么大问题，玄武EDA完成度很高，但无论如何设计出来的芯片也只是个PPT，最终还是要落地的。”

目前，国内芯片供应链在部份领域已实现突破，但几个关键环节仍依赖国外进口，尤其在高端芯片制造、核心设备和材料、特定芯片设计工具等方面存在显著短板。

陈平江的天元资本早期投资那些国产芯片产业链是有效果的，但仍然不足以颠覆多年的差距。

孟老也道：“目前国内的芯片自给率差不多40%，高端芯片完全依赖进口，现在三星和台积电已经成功量产出7纳米，我们追赶的脚步一刻也不能停下，幸好14纳米制造工艺突破有望，但更高的7纳米就玄乎了，光刻机始终是个绕不过去的坎儿。”

他话音一转，“不过采用多重曝光技术的话，应该可以通过DUV实现7纳米。”

好消息是长江存储和长鑫存储提前两年布局，所以DRAM和NAND闪存芯片不再需要通过三星和海力士进口。

坏消息是射频芯片和FPGA芯片仍然无法解决。

“射频芯片的国产替代方案是唯捷创芯的产品，但良率是个大问题。”

FPGA芯片说白了就是逻辑芯片，翻译过来叫做现场可编程门阵列。

FPGA广泛应用于通信基站和工业控制领域，但国内厂商如紫光同创、安路科技等尚处于技术追赶阶段，市场份额几乎被赛灵思和英特尔垄断。

虽然早就预料到突破的过程会非常难，但只有真正深入进去才知道有多难。

这就像是码农写代码，但凡哪里写的不对，就会导致最后程序跑不通。

半导体材料领域同样困难重重。

12英寸硅片主要依赖日本信越化学、SUMCO等企业，国产化率不足20%。

国产替代方案是沪硅产业和中环股份。

前者在去年实现12英寸硅片小规模量产，但仍处于技术验证和产能爬坡阶段；后者在8英寸硅片领域已实现稳定供应。

最惨的还要数光刻胶，尤其是ARF和EUV级别的光刻胶。

高端光刻胶几乎全部依赖日本企业（如TOK、JSR、信越化学），国产化率低于5%。

南大光电启动ArF光刻胶研发项目，但尚未量产；沪上新阳的KrF光刻胶处于验证阶段；晶瑞电材的g/i线光刻胶已用于中低端芯片。

除此之外还有特殊气体、抛光材料、溅射靶材和先进封装材料。

陈平江之前培养出华特气体、安集科技、江丰电子和飞凯材料，这些都可以成为替代方案，但还是老问题。

纯度和稳定性不足，验证周期长！

当然了……

好消息也不是没有。

比如江丰电子的靶材市占率全球前五，成为中芯国际、三星核心供应商。

比如安集科技的CMP抛光液打破美日垄断，进入14nm产线。

比如南大光电的ArF光刻胶项目已经逐步量产。

梁老感慨道：“幸好你几年前有远见，先扶持了一批国产企业，否则我们面临的麻烦还要更多，不过我始终是有信心的。”

陈平江含蓄的笑了笑。

他从不担心国产芯片的未来。

即便是按照原本的时间线，到了24年国产成熟制成芯片也会迎来重大突破，出口销售额达到千亿美元。

一切所缺的不过是时间而已。

每个环节进步一点，汇合集合就是巨大的进步。

……

……

两天后，陈平江已经从沪上赶往了祖国的最北端。

在哈工大的校园里，陈平江见到了赵永鹏。

“哈哈，陈董，虽是初次见面，却已经神交已久啊。”

赵永鹏亲热的同陈平江握手。

陈平江笑眯眯道：“赵教授不必客气叫我小陈就好，今天我过来是特意对您的卓越贡献表示感谢的。”

陈平江说不用客气，赵永鹏哪里敢真的叫他小陈，只当是客套话。

“军功章也应当有你的一半，如果不是之前您的资助和多方面协助，我们也不会如此顺利。”赵永鹏招招手，“我们去实验室看看。”

陈平江来到哈工大，之前已经和校方打过招呼，希望低调处理，这才没有引起围观。

这次过来完全是因为赵永鹏团队顺利研发出“放电等离子体极紫外光刻光源”的缘故。

这个项目，陈平江已经跟了好几年，前后资助不下2000万，并且表示不要任何知识产权，如今终于到了开花结果的时候。

宽敞明亮的实验室内。

陈平江身着无尘服，戴着口罩仔细听着赵永鹏介绍。

“在演示之前，我有必要说下。这台机器的光源焦点功率只有43瓦，与asml的最近两代EUV光源250-500瓦，差距还是巨大的，目前只能称之为实验室阶段，不过我们团队有信心，在两年内将功率提升到200瓦。”

陈平江点了点头，表示理解。

毕竟在EUV中光源也只是一部分，还需要其他十万个零件一起协同配合。

但不管怎么说，也搞定了最关键的一个部分。

在当前的EUV光刻机技术上，存在两种光刻机技术路线。

一种是DPP方案（放电产生等离子体），一种是LPP方案（激光产生等离子体）。

当前全球唯一一家能生产EUV光刻机，垄断了全球高端光刻机市场的公司——荷兰A**L公司，采用的就是LPP方案。

哈工大的这个“放电等离子体极紫外光刻光源”，从名字上就能看出它走的是DPP方案。

DPP方案最大的一个问题就是光源的焦点功率不足。

光刻机的光源是用来烧石头（单晶硅）的，功率不足自然就烧不动，也就没法蚀刻出芯片。

好在，因为专利的限制，当前中国走DPP方案的EUV光刻机研究，是要比走LPP方案容易的。

虽然当前DPP方案还无法商用，暂且无法用在EUV光刻机身上，但DPP方案技术是会进步的。

DPP方案本身优势也不小，比如光源稳定、对清洁度要求低，以及成本更低。

并且，陈平江也不会将鸡蛋放在一个篮子里。

除了哈工大这头，XX光电所和沪上某家研究所都有资助，大家进度不一，路线也不同。

任何一方取得最终突破，都会大大提前国产EUV光刻机问世的时间。